高純臭氧發生器，臭氧濃度高于99.5%
1.超高純臭氧制備
2.臭氧濃度高于99.5%
3重安全保障
液化池容積限制設計
安全閥設計
急停設計
產品特點
● 全金屬密封臭氧液化池
● 無硅膠吸附劑
● 閉循環制冷機自動控溫
● 提純速度快,準備時間只需30分鐘；提純1小時，能產出約4標升高純臭氧氣體，可滿足大部分用戶十小時以上的生長需求
● 設計緊湊，尺寸 400*700*1200mm(高）
● 操作簡便，即起即停
● 高純臭氧應用領域：化學氣相沉積（CVD），原子層沉積（ALD），氧化物生長，表面處理，粒子清潔，光刻膠去除，灰化等。
背景技術：
臭氧是一種功能多樣、極具開發價值的氣體，在科研、半導體制造、薄膜制備、水處理、空氣凈化、醫療衛生、食品加工等許多領域有著廣泛應用，但由于臭氧氣體容易分解成氧氣，不能長時間貯存；而液態臭氧存在爆炸風險，不利于存儲和運輸，因此臭氧氣體基本都是現用現制。
不同應用場景對于臭氧濃度的要求不同，某些場景對于臭氧濃度的要求較低，例如：賓館、超市、學校、食品工廠、食品儲倉儲、生鮮食品配送中心和其他低濃度臭氧要求的工業環境的空氣殺菌消毒和水處理、殺菌保鮮等方面，臭氧濃度維持在15％以下即可，因而可以采用化學法、電化學法、電暈放電法、紫外輻射法等多種方法制備，技術已經較為成熟也較為簡單；某些場景對于臭氧濃度的要求較高，例如：氧化物薄膜制備(ombe、cvd和ald)、半導體制造領域和研究所高校實驗室場景等，臭氧濃度越高越有益于排除雜質對于應用場景的影響，從而更好地實現環境變量的控制，由于高純度臭氧具有爆炸的危險，因此高純度的臭氧制備技術需要滿足安全性和穩定性，同時也具有高效性和成本造價等方面的要求。
一般高純度臭氧裝置是介于臭氧和氧氣沸點之間的溫度環境，通過臭氧提純，很終臭氧濃度能達到80～99％，但制備流程時間較長，且純度仍有較大提高空間。
shunsukehosokawa和shingoichimura發表的reviewofscientificinstruments62,1614(1991)公開了一種液化型臭氧提純方法，該方法利用氧氣和臭氧飽和蒸汽壓在70～95k溫區相差三四個數量級的特點，將臭氧氣體液化實現提純，臭氧濃度可以達到70％以上，后經改進，臭氧濃度可高于99.5％。但該裝置存在以下三點不足：第一個是該裝置從室溫狀態到可提純臭氧狀態，需要約60分鐘，臭氧提純的準備時間很長；第二個是臭氧處理器，需加熱至400℃來分解臭氧，有安全隱患，且需降溫裝置把加熱的氣體重新降至室溫，結構復雜；第三個是進入液化池的過濾裝置的精度仍有提高的空間。
綜上所述，市場中缺乏一種適用于實驗室環境下，能夠快速實現超高純臭氧制備的設備。
